Международная команда под руководством профессора Элайзы Райдо совершила прорыв в производстве процессоров толщиной в атом. Инновационный метод позволит создать еще более быстрые и миниатюрные полупроводники, сообщает Phys.org.
Исследователи доказали превосходство литографии над обычными способами создания металлических электродов для 2-мерных полупроводников. Такие переходные металлы как дисульфид молибдена способны заменить кремний при производстве транзисторов размером с атом.
Новый метод t-SPL (термальная сканирующая зондовая литография) имеет важные преимущества перед электронно-лучевой литографией. Термальная существенно повышает качество 2-мерных чипов, поскольку компенсирует барьер Шоттки, который затрудняет движение электронов на границе металла и двумерного субстрата. К тому же t-SPL без труда позволяет создавать образ полупроводника и помещать электроды в конкретное место.
Такой метод обещает стать и более экономичным, т.к. для производства не требуются особые условия. По мнению профессора Райдо, t-SPL позволит отказаться от дорогого оборудования, сверхвысокого вакуума и чистых комнат. Исследования можно будет проводить непосредственно в лабораториях: сразу создавать и тестировать передовые материалы.
Источник:
